系统时钟循环周期

它表示了SDRAM能运行的最大频率。譬如，一块系统时钟频率为10ns的SDRAM的芯片，它可以运行在100MHz的频率下。绝大多数的SDRAM芯片能达到这个要求。显然，这个数字越小，SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于现代PC－100 SDRAM，它的芯片上所刻的－10代表了其运行的时钟周期为10ns，就可以跑100MHz的外频。根据现代的产品数据表我们可以知道，这种芯片的存取数据的时间（下面会讲到该指标）为6ns。

存取时间

存取时间代表了读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6、7、8或10ns。可是千万不要和系统时钟频率所混淆。如高士达（Goldstar）PC－100 SDRAM，它的芯片上所刻的－7代表了其存取时间为7ns。然而其系统时钟频率仍然为10ns，外频为100MHz。

CAS反应时间

它是CAS(纵向地址脉冲)的延迟时间。某些SDRAM能够运行在CAS反应时间(CL)2或3模式，也就是说它们读取数据所延迟的时间既可以是两个时钟周期，也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中，这样PC的BIOS会检查此项内容，并且以CL=2模式这一较快的速度运行。

以上三个性能指标是互相制约的。换句话说，当你有较快的存取时间，你就必须牺牲CAS反应时间的性能。因此，评估和比较SDRAM的性能时，我们必须综合考虑以上三个指标，不能仅从芯片上所刻的－6、－7、－8或－10来评价。也就是说，一旦芯片厂商称其产品为PC－100，符合PC－100的标准。那么－6、－7、－10就只是一个符号，并不说明－6比－7快。因此，三星为了防止人们的误解，不再用这些数据代表内存的存取时间，而是用字母表示。

下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。

对于100MHz的系统来说，一个系统时钟周期为10ns。粗略计算一下：读取数据的总延迟时间=CAS延迟＋存取时间。例如：现代PC－100 SDRAM，存取时间为8ns，CL=2 模式。因此，总的延迟时间为 2×周期＋存取时间=2×10ns＋8ns=28ns 如果SDRAM运行在CL=3模式下，存取时间为6ns。这样，总的时间延迟为=3×10ns＋6ns=36ns显然，当SDRAM运行在CL=2模式下，其速度确实快于CL=3模式。

内存今价几何？

内存市场颇有神秘色彩，只要稍微有一点点的风吹草动，内存的价格就立马能变上三变。要涨就不愿跌下来。做内存的诸位大虾已经开始一年一度的屯货了，内存的颗粒报价一直都是看涨，据悉很有可能会从8.5美金跃升至9个美金。所以，一些大大小小的内存经销商是能不卖货就不卖货，谁都想笑到最后，笑的最美。

有的时候真是认为内存是个很娇贵的东西，很有脾气。眼下DIY的黄金季节就要到了，几乎是所有的装机商都比较欢欣鼓舞，大家都在等待着最佳的时机能好好的赚上一笔，以弥补4.5月份的惨淡经营。刁钻的内存代理经销商，现在的策略就是尽量维持以往的老客户，除此之外，就免谈了。对此，如饥似渴的DIY朋友可要注意了，内存选购一定要看准时机，并把握好挑选小窍门。

现在市场上常见的SDRAM品牌有现代、三星、LG、NEC、 东芝、西门子、TI(德州仪器)等。购买时应注意观察芯片表面印字是否清晰，标称速度为多少以及产地。需要特别说明的是，以上所提到的品牌仅仅是指内存芯片，而不是整个内存条，将内存芯片封装在电路板上制成内存条的工作是由其他厂商完成的。例如，著名的美国金仕顿内存只是封装其他厂商的优质内存芯片制成的，它本身并不生产内存芯片。所以，即使采用同一品牌芯片的内存条，由于封装厂商不一，质量也会存在很大差异，这可以从电路板的工艺上看出。好的电路板，外观看上去颜色均匀、表面光滑、边缘整齐无毛边，采用六层板结构且手感较重。主流的LGS内存已经被HY内存取代，虽然牌子换了，但是东西还是一样的，常见的型号是GM72V66841ET7J，是8×8的颗粒。

目前市场上的PC－133内存条的CAS反应时间基本上都是3，想买真正CAS反应时间为2的PC133内存条还要等一段时间。Kingmax（胜创）内存和樵风的金条也是不错的选择，它们都采用专利的封装技术，所以不会碰到假货。