根据摩尔定律可以知道，集成电路从诞生之日起就以每年每平方英寸集成的晶体管番一番的速度增长着，而数据密度则以每十八个月番一番的速度发展着，有鉴于此，Intel的目标就是力求在其工业生产中保持这种迅猛发展的势头，为此，他们每两年就把晶体管的体积缩小30%，籍此，Intel就可以在单一的一块硅晶圆上切割出双倍数量的模块来了，从而也就可以在速度成倍提高的同时使其开销减半了。

　　微处理器性能的驱动引擎应该说，晶体管是驱动微处理器性能提高的主要动力，不过微处理器的整体性能也并非完全依赖于晶体管的表现，它还在很大程度上取决于制造环境中的设计和加工工艺。要提高晶体管的性能，就必须要提高晶体管的驱动电流（以微安/微米计算），但当晶体管的物理体积进一步缩小的时候，这些提高了的驱动电流却又会对电路产生不良的影响，实在是颇有些为难。

　　从微处理器的基本设计规律可以知道，更多的晶体管意味着更高的处理能力，只不过，这也并非就是绝对真理，因为大家都知道，一个设计得非常蹩脚的微处理器无论使用了多少个晶体管，它的性能也注定只能够是捉襟见肘的了。现在，我们假设设计师可以通过增加晶体管的数量来提高微处理器的处理能力，那么，为了满足高端应用的速度需要，他们就必须在微处理器中集成更多的晶体管。千万不要以为以增加晶体管来提高微处理器性能是一件非常轻而易举的事情，在考虑到加工成本的情况下，这样的做法在大多数时候反而是相当不划算的。因此有必要尽量减小晶体管的体积，从而减少每个晶体管的价格，使得在微处理器处理能力得到提高的同时又可以使其最终价格能为广大用户所接受。

　　晶体管体积的减小还可以带来另一个好处，就是其工作电压将得到降低，这只要看看典型的处理器工作电压从0.35微米制造工艺奔腾II处理器的2.8V下降到0.25微米制造工艺奔腾III处理器的2.0V就可以知道了。到目前为止，由于铜矿奔腾III处理器采用了0.18微米的制造工艺，其工作电压更是下降到1.60V到1.65V左右。由于其工作电压更低了，因此处理器需要的功率也就更少了，移动处理器电池的寿命也就可以更长了。

　　Intel的战略计划今年Intel将在处理器项目当中吹捧介绍三种技术，首当其冲的就是0.13微米制造工艺。Intel宣称是第一个将0.13微米工艺应用到微处理器的生产商。不过，尽管在Intel的发展蓝图上做了标明，但他们是否将这项技术应用到奔腾III处理器现在还是一个未知数。至于奔腾4，我们就很有把握地说将能采用到，因为现在的奔腾4的dies实在太大了。除此之外，奔腾4昂贵的价格是其占领市场的一个巨大的阻碍。很明显，Intel只有靠0.13微米工艺来减少晶体管的数量和处理器本身的体积才能有效减低成本。

　　另一方面，如果Intel在铜矿（奔腾III和赛扬II）当中采用0.13微米工艺的话，这样新的处理器就有更低的电源功耗、更高的速度（频率）和更低廉的价格。或许铜矿处理器就能突破1.13GHz的极限，给我们超频发烧友带来更多的惊喜喔。

　　在2001年里面，第二项主要的技术突破就是铜连接（copper interconnects）。铜连接技术已经在很多技术文章里面见得到。它的作用主要是在超大规模集成电路（VLSI）当中减少阻抗，使半导体芯片面积减少。通过铜连接，不单单使元器件的电特性增强，而且对于电子迁移和减低电压方面也十分有好处的。

　　或许这时候你会问：为什么铜连接好处这么多，以前怎么不用啊？因为和铝不一样，铜是一种快扩散体，如果仅仅是简单的连接，快速的铜原子会“冲垮”硅晶片的。随着工艺的进步，制造商们才首次采用铜介质。

　　而第三样硬件技术就是在绝缘层中采用low-k绝缘体来连接，这项技术主要是减少信号传播时由于电路本身的RC（阻抗和容抗）延迟所带来的信号衰减。

　　由于采用更小的连接工艺，使得每个晶体管元件的距离越来越短，使得在连接当中出现了许多本来没有的容性器件。现在很多半导体芯片制造商都是采用二氧化硅（就好像玻璃）来做绝缘层的。而它的体积却比较大，效果也不是否理想。所以low-k绝缘体代替了这些二氧化硅，low-k本身就是炭－硅氧化的聚合体。