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> 三星发表覆晶封装的16M DDR SRAM
三星电子4日表示,已自行开发出覆晶封装(Flip Chip)技术,并推出应用此一技术的新款PBGA(塑胶球型栅状阵列)800Mbps 16M DDR SRAM样品,提供全球主要的系统业者。同时,计划自今年下半年开始量产,积极抢攻服务器与工作站等高速内存市场。
此外, 三星电子还计划在明年上半年推出1Gbps产品,以加速对新一代高速内存市场的攻掠,并计划将覆晶封装技术扩大应用到其他内存产品上。
WanJuanShu